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K4B4G0846D-BCMA nouvelle mémoire d'origine DDR3 4GB 512M * 8 1866Mbps IC puce
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78FBGA électronique Circuit intégré K4B4G0846D-BCMA
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K4B4G0846D-BCK0 nouvelle mémoire d'origine DDR3 4GB 512M * 8 1600Mbps IC puce
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78FBGA électronique Circuit intégré K4B4G0846D-BCK0
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K4B4G0846D-BCH9 nouvelle mémoire d'origine DDR3 4GB 512M * 8 1333Mbps IC puce
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78FBGA électronique Circuit intégré K4B4G0846D-BCH9
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K4B2G1646F-BYK0 nouvelle mémoire d'origine
samsung
DDR3 2GB 1600Mbps IC puce
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96FBGA électronique Circuit intégré K4B2G1646F-BYK0
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K4A4G165WF-BCWE nouveau original DDR4 ram 4Gb 3200Mbps 256Mx16 mémoire IC puce 96FBGA
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circuits intégrés composants électroniques
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K4A4G165WF-BCTD nouveau original DDR4 ram 4Gb 2666Mbps 256Mx16 mémoire IC puce 96FBGA
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K4A4G165WF-BCRC nouveau original DDR4 ram 4Gb 2400Mbps 256Mx16 mémoire IC puce 96FBGA
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K4A4G085WF-BCWE nouveau DDR4 ram d'origine 4 Go 3200Mbps 512Mx8 mémoire IC puce 78FBGA
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