Triode 2SC1008-Y C1008 TO-92 0.7A 80V Transistor NPN basse puissance

Name: Triode 2SC1008-Y C1008 TO-92 0.7A 80V Transistor NPN basse puissance
Brand: Shenzhen Xingcheng Electronics Co., Ltd.
SKU: 1601227886318
Price: 0.01 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Xingcheng Electronics Co., Ltd. 2 yrs

Triode 2SC1008-Y C1008 TO-92 0.7A 80V Transistor NPN basse puissance

Transistor universel fiable: Ce transistor de la puissance faible NPN de la triode 2SC1008-Y C1008 TO-92 0.7A 80V est conçu pour des applications polyvalentes, lui faisant un choix souple pour différents projets électroniques.
Construction de haute qualité: Avec un type de paquet d'à travers-trou et fait en Chine, ce transistor est construit pour durer, assurant l'exécution fiable et la longévité dans les environnements exigeants.
Conception conviviale: Le type d'emballage TO-92 permet une installation facile, ce qui en fait une option pratique pour les utilisateurs qui apprécient la simplicité et la facilité d'utilisation.
Manipulation efficace de puissance: Avec une estimation courante de 0.7A et une tension de claquage maximum de collecteur-émetteur de 80V, ce transistor est capable de manipuler des exigences modérées de puissance facilement.
Documentation complète: Le produit est livré avec une fiche technique et une photo, fournissant aux utilisateurs des informations détaillées pour assurer des performances et un dépannage optimaux.

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Caractéristiques du produit

Caractéristiques propres à l'industrie

Numéro de Type

2SC1008-Y

Type

NPN Transistor

Marque nom

Made in China

Type de paquet

Traversants

Autres caractéristiques

Type de montage

Plug-in

Description

Small Power Transistor

Point d'origine

Guangdong, China

Package/Boîte

To-92

d/c

Latest

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

品名

TRANSISTOR

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Température de fonctionnement

Type de Support

Trou traversant

Résistance-socle (R1)

Résistance-socle émetteur (R2)

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Fréquence

Courant nominal (ampères)

Facteur de bruit

Alimentation-Sortie

Tension Nominale

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

Type IGBT

Configuration

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Entrée

Thermistance NTC

Tension-panne (V (BR) GSS)

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Vidange de courant (Id)-Max

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Résistance-RDS (On)

Tension

Tension-Sortie

Tension-décalage (Vt)

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Courant-vallée (Iv)

Courant-Crête

Applications

GENERAL PURPOSE

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Article unique

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12X5X3 cm

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Durée estimée (jours)	7	À négocier