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Transistor Mosfet N-CH 50A/60V 31A Fqpf50n06 50n06

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Shenzhen Mixinwei Trading Co., Ltd Fabricant sur mesure 4 yrs CN
Transistor Mosfet N-CH 50A/60V 31A Fqpf50n06 50n06
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Caractéristiques du produit

Caractéristiques propres à l'industrie

Numéro de Type
Fqpf50n06
Type
D'autres
Marque nom
Origin
Type de paquet
À-220

Autres caractéristiques

Point d'origine
China
Package/Boîte
N/A
d/c
Nouveau
Application
N/A
Type de Fournisseur
N/A
Référence croisée
N/A
Médias Disponibles
N/A
品名
N/A
Collecteur de courant (Ic) (Max)
N/A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
N/A
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
N/A
Courant-coupure de collecteur (Max)
N/A
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
N/A
Puissance Max
N/A
Fréquence-Transition
N/A
Température de fonctionnement
N/A
Type de Support
N/A
Résistance-socle (R1)
N/A
Résistance-socle émetteur (R2)
N/A
FET Type
N/A
FET Caractéristique
N/A
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
N/A
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
N/A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
N/A
Vgs (th) (Max) @ Id
N/A
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
N/A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
N/A
Fréquence
N/A
Courant nominal (ampères)
N/A
Facteur de bruit
N/A
Alimentation-Sortie
N/A
Tension Nominale
N/A
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
N/A
Vgs (Max)
N/A
Type IGBT
N/A
Configuration
N/A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
N/A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
N/A
Entrée
N/A
Thermistance NTC
N/A
Tension-panne (V (BR) GSS)
N/A
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
Vidange de courant (Id)-Max
N/A
Tension-coupure (VGS off) @ Id
N/A
Résistance-RDS (On)
N/A
Tension
N/A
Marque
D'origine
Garantie
1 année
Bas temps
3-5day
Adresse de livraison
Shenzhen

Emballage et livraison

Détails d'emballage
New and Original, factory sealed packing, it will be pack in one of these packing type: Tube, Tray, Tape and Reel, Tape and Box, Bulk packing, Bag and etc. Please kindly contact us for more details.
Port
shenzhen

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