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SY CHIPS IC FCH20N60 20N60 Nouveau transistor MOSFET Original 600V 20A TO-247 FCH20N60

(1 review)
Shenzhen Sy Chips Technology Co., Ltd. Fournisseur polyvalent 6 yrs CN
SY CHIPS IC FCH20N60 20N60 Nouveau transistor MOSFET Original 600V 20A TO-247 FCH20N60
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SY CHIPS IC FCH20N60 20N60 Nouveau transistor MOSFET Original 600V 20A TO-247 FCH20N60

Caractéristiques du produit

Caractéristiques propres à l'industrie

Numéro de Type
FCH20N60
Type
Mosfet
Marque nom
Original Brand
Type de paquet
Traversants

Autres caractéristiques

Type de montage
Norme
Description
Norme
Point d'origine
Japan
Package/Boîte
-
d/c
Nouveau
品名
FCH20N60
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Température de fonctionnement
-
Type de Support
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
--
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
--
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Nom du produit
FCH20N60
Catégorie de produit
MOSFET
Paquet/Étui
À-247-3
Nombre de canaux
1 canal
Temps de montée
140 ns
Mots-clés
Transistor
Vds-Drain-Source Tension de panne
600 V
Id-Courant de vidange continu
20 A
Résistance à la source de vidange Rds
190 mOhms
Poids de l'unité
38g

Emballage et livraison

Unités de vente :
Article unique
Taille du paquet individuel :
10X10X10 cm
Poids brut par article :
0.500 kg

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