Description
Medium power transistors
Point d'origine
Guangdong, China
Application
Electronic product
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
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Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
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Température de fonctionnement
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Résistance-socle émetteur (R2)
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Vidange à la tension de la Source (Vdss)
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Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
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Rds sur (Max) @ Id, Vgs
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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Courant nominal (ampères)
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Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
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Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
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Tension-panne (V (BR) GSS)
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Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
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Vidange de courant (Id)-Max
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Tension-coupure (VGS off) @ Id
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Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
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Key words
Medium power transistors
