IMW65R007M2HXKSA1 MOSFET EN CARBURE DE SILICIUM Nouveau et original Transistor à effet de champ MOSFET à FET simples
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Caractéristiques du produit
Caractéristiques propres à l'industrie
Numéro de Type
IMW65R007M2HXKSA1
Type
MOSFET
Marque nom
Original
Type de paquet
Traversants
Autres caractéristiques
Description
MOSFET DE CARBURE DE SILICIÈRE
Point d'origine
Original
Package/Boîte
À-247-3
Médias Disponibles
Fiche technique
Type de Support
À travers le trou
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
171A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 29.7mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
179 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6359 pF @ 400 V
Alimentation-Sortie
625W (Tc)
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V, 20V
Vgs (Max)
+ 23V, -7V
Configuration
SIMPLE
Type de montage
Trou à travers
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
>= 10 pièce
0,4638 €
Quantité
Expédition
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À négocier
Sous-total
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