Transisotor MOS de haute qualité MOSFET N-CH 250V 4.4A TO252 FQD6N25TF

Name: Transisotor MOS de haute qualité MOSFET N-CH 250V 4.4A TO252 FQD6N25TF
Brand: Shenzhen Shiji Chaoyue Electronics Co., Ltd.
SKU: 1601097531857
Price: 1.6 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Shiji Chaoyue Electronics Co., Ltd.

Fournisseur polyvalent 7 yrs

Transisotor MOS de haute qualité MOSFET N-CH 250V 4.4A TO252 FQD6N25TF

Transistor MOSFET haute performance: Ce transistor MOSFET FQD6N25TF N-CH 250V 4.4A TO252 est conçu pour des applications de haute performance, offrant une excellente vitesse de commutation et fiabilité.
Large plage de température de fonctionnement: Avec une plage de température de fonctionnement de-55 ° C à 150 ° C (TJ), ce transistor peut gérer des fluctuations de température extrêmes, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des environnements difficiles.
Tension élevée de Drain-à-source: Ce transistor comporte une tension élevée de drain à source de 250V, le rendant idéal pour des applications à haute tension telles que des alimentations d'énergie, contrôle de moteur, systèmes de gestion de puissance.
Faible résistance à la marche: Avec un maximum RDS(on) de 1Ω @ 2.2A, ce transistor offre une faible résistance à la marche, réduisant les pertes de puissance et la génération de chaleur et augmentant l'efficacité globale du système.
Paquet extérieur de bâti: Le paquet TO252 de ce transistor est conçu pour des applications de bâti de surface, tenant compte de la conception compacte et efficace de carte PCB, le rendant idéal pour l'usage dans les appareils électroniques modernes.

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Caractéristiques du produit

Caractéristiques propres à l'industrie

Numéro de Type

FQD6N25TF

Type

MOSFET

Marque nom

original brand

Type de paquet

Montage en Surface

Autres caractéristiques

Type de montage

SMD/SMT, Surface Mount

Description

TRANSISTOR, MOSFET N-CH 250V 4.4A TO252

Point d'origine

Guangdong, China

Package/Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Type

IGBT Transistor, Field-Effect Transistor

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

品名

MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

FET Type

N-Channel

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

250V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

4.4A (Tc)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V 250uA, 5V @ 250uA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

10V

Vgs (Max)

±30V

Part Number

FQD6N25TF

Drain to Source Voltage

250V

Current @ 25°C

4.4A (Tc)

Gate Charge @ Vgs

8.5nC @ 10V

Input Capacitance @ Vds

5V @ 250uA

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

Company

SHIJI CHAOYUE

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