Numéro de Type
MVGSF1N03LT1G
Type de montage
1 N-canal
Code Date de fabrication
Norme
Température de fonctionnement
-55 °C ~ + 150 °C @(Tj)
Catégorie
Transistors/Thyristors/MOSFET
Tension de source de vidange (Vdss)
30V
Dissipation de puissance (Pd)
420mW
Source de vidange sur la résistance (RDS(on)@ Vgs
100m@1.2A10V
Courant de vidange continu (Id)
1.6A
Tension de seuil de porte (Vgs(th)@ Id)
2.4V @ 250uA
Charge totale de la porte (Qg @ Vgs)
-
Fiche technique
Onsemi MVGSF1N03LT1G
Capacité de transfert inverse (Crss @ Vds)
-