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BUK9C10-55BIT/A,11 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK TO-263-3 TO-263AB-7 TO-263-7, (6 fils + onglet)

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
BUK9C10-55BIT/A,11
Type
MOSFET
Marque nom
original
Type de paquet
D2PAK ,TO-263-3 ,TO-263AB-7

Autres attributs

Type de montage
Surface Mount
Description
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK ,TO-263-3 ,TO-263AB-7
Point d'origine
Mexico
Package/Boîte
À-263-7
Température de fonctionnement
-40 ~ 170 ℃
d/c
NOUVEAU
Application
MOSFET
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine
Médias Disponibles
Fiche technique
品名
MOSFET
Collecteur de courant (Ic) (Max)
N/A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
N/A
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
N/A
Courant-coupure de collecteur (Max)
N/A
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
N/A
Puissance Max
N/A
Fréquence-Transition
N/A
Température de fonctionnement
-55 ~ 170 ℃
Type de Support
Montage en Surface
Résistance-socle (R1)
N/A
Résistance-socle émetteur (R2)
N/A
FET Type
N/A
FET Caractéristique
N/A
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
75A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
N/A
Vgs (th) (Max) @ Id
N/A
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
N/A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
N/A
Fréquence
N/A
Courant nominal (ampères)
N/A
Facteur de bruit
N/A
Alimentation-Sortie
194W (Ta)
Tension Nominale
N/A
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
N/A
Type IGBT
N/A
Configuration
Unique
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
N/A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
N/A
Entrée
N/A
Thermistance NTC
N/A
Tension-panne (V (BR) GSS)
N/A
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
Vidange de courant (Id)-Max
N/A
Tension-coupure (VGS off) @ Id
N/A
Résistance-RDS (On)
N/A
Tension
N/A
Tension-Sortie
N/A
Tension-décalage (Vt)
N/A
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
N/A
Courant-vallée (Iv)
N/A
Courant-Crête
N/A
Applications
N/A
Transistor Type
N/A

Emballage et livraison

Unités de vente :
Article unique
Taille du paquet individuel :
22X22X5 cm
Poids brut par article :
1.000 kg

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