Description
Transistor Mosfet
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
Standard
Référence croisée
Standard
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Standard
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
Standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Standard
Courant-coupure de collecteur (Max)
Standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Fréquence-Transition
Standard
Température de fonctionnement
Standard
Résistance-socle (R1)
Standard
Résistance-socle émetteur (R2)
Standard
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Courant nominal (ampères)
Standard
Facteur de bruit
Standard
Alimentation-Sortie
Standard
Tension Nominale
Standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Standard
Thermistance NTC
Standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
Standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Vidange de courant (Id)-Max
Standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Standard
Résistance-RDS (On)
Standard
Tension-décalage (Vt)
Standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Standard
Courant-vallée (Iv)
Standard
Payment
TT\\Paypal\Western Union\Trade Assurance
Product Name
Transistor Mosfet
vendor
Shenzhen Chenyuan Technology Co., Ltd
