Statut de Produits
Nouveau
Point d'origine
Guangdong, China
Condition de l'article
Nouveau
Seul disque capacité
1000 GB
Moyenne Seek temps
2.0 MS
Poids ( y compris emballage )
82 g
Matériel de la coquille
Métal
Has External Power Supply
Pas de
Numéro de Type
MZ-V9P1T0BW
Appliquer
PC client, console de jeux
Interface
PCIe Gen 4.0x4, NVMe 2.0
NAND flash
POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
Contrôleur
POUR le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
Cache
Pour Samsung 1 Go de faible puissance DDR4 SDRAM
Lecture séquentielle
Jusqu'à 7 450 Mo/s
Écritures séquentielles
Jusqu'à 6 900 Mo/s
Consommation électrique moyenne (niveau système)
* Moyenne: 5.4W * Max: 7.8W
Tension admissible
3.3 V ± 5% de tension admissible