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Diode Laser 405nm 450nm 635nm 638nm 650nm 808nm 850nm 940nm 980nm 5mw 100mw 200mw

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Diode Laser 405nm 450nm 635nm 638nm 650nm 808nm 850nm 940nm 980nm 5mw 100mw 200mw
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Caractéristiques du produit

Caractéristiques propres à l'industrie

Numéro de Type
405nm 450nm 635nm 638nm 650nm
Marque nom
Sojay

Autres caractéristiques

Description
Norme
Type
Diode laser
Point d'origine
China
Type de paquet
Trou traversant
Package/Boîte
À 56
d/c
37
Application
Éclairage
Tension vers l'avant maximale
6V
Tension inverse maximale
5V
Courant vers l'avant maximal
1.2mA
Courant renversé maximal
5uA
Diode Type
5.6
Technologie
Semi-conducteur
Tension-crête inverse (Max)
2.5
Courant-moyenne rectifiée (Io)
18
Tension-avant (Vf) (Max) @ If
-
Courant-fuite inverse @ Vr
-
Température de fonctionnement
-10 ~ 40 °C, -10 ~ 40 °C
Type de Support
À souder
Diode Configuration
Norme
Tension-inversion cc (Vr) (Max)
30V
Courant-moyenne rectifiée (Io) (par Diode)
17
Vitesse
Sans Objet
Temps de récupération inverse (trr)
Norme
Capacité @ Vr, F
Norme
Courant Max
Norme
Résistance @ If, F
Norme
Dissipation de puissance (maximum)
7mw
Capacité Rapport
Norme
Capacité Rapport État
N/A
Q @ Vr, F
Non disponible
Configuration
Norme
Voltage-Zener (Nom) (Vz)
Norme
Tolérance
Stardard
Puissance Max
7mw
Impédance (Max) (Zzt)
Norme
Matériel
Laiton
Longueur d'onde
650nm
Type d'emballage
Par le trou
Tension en avant maximum
6V
Max tension inverse
5V
Courant d'opération
1.2mA
Température de stockage
-15 ~ 85 °C
Dimension
3.5*5.6mm
Puissance de sortie
5MW

Emballage et livraison

Détails d'emballage
À travers le Trou
Port
ShenZhen or Guangzhou

Capacité d'approvisionnement

Capacité d'approvisionnement
10000 Morceau/Morceaux per Week

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Quantité minimale : 1 pièce
0,2814-19,89 €

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