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20V 4A puissance mosfet smd transistor IPD60R600P7S

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20V 4A puissance mosfet smd transistor IPD60R600P7S
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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
power transistor
Type
Transistor IGBT
Marque nom
power transistor
Type de paquet
Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage
Transistor de puissance
Description
Transistor de puissance
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
Transistor de puissance
Type
Transistor de puissance
Température de fonctionnement
2-100
Série
Transistor de puissance
d/c
Transistor de puissance
Application
Transistor de puissance
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine
Médias Disponibles
Fiche technique
品名
Transistor de puissance
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
3v
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Transistor de puissance
Courant-coupure de collecteur (Max)
2-20
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Transistor de puissance
Puissance Max
1-100
Fréquence-Transition
2-29
Température de fonctionnement
1-100
Type de Support
Trou traversant
Résistance-socle (R1)
Transistor de puissance
Résistance-socle émetteur (R2)
Transistor de puissance
FET Caractéristique
GaNFET (nitrure de Gallium)
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Transistor de puissance
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Transistor de puissance
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Transistor de puissance
Vgs (th) (Max) @ Id
Transistor de puissance
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Transistor de puissance
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Transistor de puissance
Fréquence
Transistor de puissance
Courant nominal (ampères)
Transistor de puissance
Facteur de bruit
Transistor de puissance
Alimentation-Sortie
Transistor de puissance
Tension Nominale
Transistor de puissance
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Transistor de puissance
Vgs (Max)
Transistor de puissance
Type IGBT
Transistor de puissance
Configuration
Unique
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Transistor de puissance
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Transistor de puissance
Entrée
1-100
Thermistance NTC
1-100
Tension-panne (V (BR) GSS)
0-80
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1-10
Vidange de courant (Id)-Max
2-20
Tension-coupure (VGS off) @ Id
2-20
Résistance-RDS (On)
1-10
Tension
2-20
Tension-Sortie
3-20
Tension-décalage (Vt)
1-10
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
0-9
Courant-vallée (Iv)
1-8
Courant-Crête
1-100
Applications
Transistor de puissance
Transistor Type
Transistor de puissance
Utilisation
Usage général
Protégez la caractéristique
Scellé
Nom du produit
Transistor de puissance
Mode de paiement
Escrow TT Paypal Union Moneygram
Expédition par
DHL \ UPS \ Fedex \ TNT \ EMS \ ARAMEX
Paquet
Boîte de papier d'origine, Sac en plastique An-ti
Quantité minimale de commande
100
Échantillon
Avaiable
TEMPS DE PLOMB (Délai de livraison)
5-7 Jours
Qualité
De haute qualité

Emballage et livraison

Unités de vente :
Article unique
Taille du paquet individuel :
30X40X45 cm
Poids brut par article :
0.200 kg

Délai

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