Description
Transistor SMD
Type de paquet
À travers le trou
Température de fonctionnement
20-55 °C
Application
LED/électronique/PCB/chargeur/puissance/onduleur
Type de Fournisseur
Fabricant original
Tension vers l'avant maximale
1.1V
Tension inverse maximale
1000V
Courant vers l'avant maximal
1A
Courant renversé maximal
5uA
Diode Type
Diode à usage général
Technologie
Gaufrette IC de silicium
Tension-crête inverse (Max)
1000V
Courant-moyenne rectifiée (Io)
1A
Tension-avant (Vf) (Max) @ If
30V
Courant-fuite inverse @ Vr
5A
Diode Configuration
Norme 1N4007 et M7
Tension-inversion cc (Vr) (Max)
5V
Courant-moyenne rectifiée (Io) (par Diode)
1000
Vitesse
Pas de temps de récupération> 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
30
Dissipation de puissance (maximum)
1
Capacité Rapport État
Norme
Q @ Vr, F
450 @ 3 V, 50MHz
Voltage-Zener (Nom) (Vz)
1.1
Nom du produit
Diode de redresseurs de silicium
Emballage
Sac de bobine de bande Plateau de tube
